近日，微電子學院孫正宗和李巧偉課題組通過範德華外延的方法，在毫米級單晶晶疇石墨烯表面外延生長了長程有序的MOF結構（LR-epi-MOF），其具有30°的外延生長角度和2.8%的晶格錯配度。研究成果發表於美國化學會誌J. Am. Chem. Soc.👨🏫。
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